全球三大存储芯片厂商正式开启第四代高带宽内存（HBM4）良率攻坚战。此前通用DRAM涨价为存储企业业绩提供支撑 ，但如今其涨幅已然放缓
，各家企业试图拉高高利润率HBM产品竞争力，以此最大化经营收益 。

　　业内消息显示 ，三星电子
、SK海力士、美光三大存储巨头均在推行HBM4良率提升战略
。HBM4是第六代高带宽内存产品，将搭载于英伟达下半年推出的AI加速芯片Vera Rubin等产品中。

　　三家企业里
，三星电子最先实现HBM4量产，随着产线转入大规模生产阶段 ，良率提升速度十分可观 。业内部分观点认为
，三星HBM4良率已提升至70%左右。依托数月量产积累的经验，其良率管控能力大幅改善
。三星HBM4良率提升的核心依托自家1C工艺DRAM打底 ，今年年初该款基础DRAM生产良率就已突破稳定量产门槛80%
，为HBM4良率走高提供支撑。

　　SK海力士暂未对外披露HBM4具体良率数值，但行业普遍判断其良率也已步入稳定区间 。为优化HBM4工艺 、扩充产能 ，SK海力士计划引进全新生产设备
，目前正与多家HBM设备供应商洽谈下半年设备采购订单
。

　　半导体设备行业高层人士透露：“SK海力士正筹备追加设备采购以扩充HBM4产能，此举主要为改善良率
、提升产品供货量。”SK海力士的战略目标是 ，在HBM4产品上延续自身在HBM市场过半的龙头份额优势 。

　　美光在产能规模上不及韩国两家存储厂商
，正因如此，美光正全力提速良率改善与产能扩张
。据悉美光已启动大规模设备投资 ，同步推进良率提升与产能爬坡。

　　良率的行业意义

　　良率指全部产出芯片中功能完好、可正常使用产品的占比 。良率越高，可对外供货的芯片数量越多
，企业盈利随之提升，这也是各大芯片厂商拼尽全力改善良率的根本原因
。

　　HBM4将成为下半年决定存储企业业绩走向的核心产品。通常HBM的营业利润率远高于通用DRAM ，但此前受通用DRAM供给短缺影响
，一度出现利润率倒挂的特殊现象——厂商售卖服务器 、电脑
、手机用通用DRAM，利润反而高于HBM 。

　　不过市场预判通用DRAM涨价幅度将持续收窄 ，HBM再度成为拉动业绩的关键王牌
。一季度通用DRAM价格环比涨幅接近翻倍
，业内预估二季度涨幅回落至30%~50%，三季度涨幅进一步收窄至0~20%。

　　反观HBM ，市场需求持续扩张
，价格上涨行情仍将延续一段时间，稳固其高收益核心产品的地位 。

　　业内相关人士表示：“三星电子率先量产HBM4 ，良率提升带来供货量、利润双增长
，相关利好已在二季度财报中充分体现。该增长趋势预计延续至下半年，三大存储厂商之间的良率提升竞争将会愈发白热化
。 ”